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題 名 | 以液相磊晶法製備高鍺組成矽鍺虛擬基板=Fabrication of High-Ge-composition SiGe Virtual Substrates |
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作 者 | 祁季偉; 陳勇廷; 林修銘; 吳柏昇; 陳冠名; 温武義; | 書刊名 | 真空科技 |
卷 期 | 33:4 2020.12[民109.12] |
頁 次 | 頁24 |
分類號 | 448.533 |
關鍵詞 | 矽鍺虛擬基板; 液相磊晶法; 晶格不匹配; 拉曼光譜分析; 缺陷密度; SiGe-on-Si virtual substrate; Liquid phase epitaxy; LPE; Lattice mismatch; Raman spectroscopy; Defect density; Etch pit density; EPD; |
語 文 | 中文(Chinese) |