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題 名 | 應用薄膜輪廓工法製作通道長度小於50奈米之氧化鋅(ZnO)薄膜電晶體=Downscaling of Film Profile Engineered ZnO Thin-Film Transistors to Sub-50nm with an Exquisitely Designed Approach |
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作 者 | 楊宗祐; 呂榮哲; 林鴻志; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷 期 | 25:1 2018.03[民107.03] |
頁 次 | 頁17-24 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 金屬氧化物; 薄膜電晶體; 薄膜輪廓工法; 氧化鋅; 超短通道; Metal oxide; MO; Thin-Film transistor; TFT; Film-Profile engineering; FPE; ZnO; Ultra-short channel; |
語 文 | 中文(Chinese) |