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題名 | MOCVD沉積AZO透明導電膜於N-Si基板上之特性分析=Characteristic Analysis of AZO Thin Films on N-Si Substrates Grown by MOCVD |
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作者 | 許能傑; 林安迪; Hsu, Neng-jye; Lin, An-di; |
期刊 | 中華科技大學學報 |
出版日期 | 20100100 |
卷期 | 42 2010.01[民99.01] |
頁次 | 頁13-21 |
分類號 | 448.5 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 氧化鋅; 氧化鋁鋅; MOCVD; ZnO; Al-doped ZnO; |
中文摘要 | 本實驗室單片垂直式MOCVD是使用美國FLUENT公司的Fluent 6.1軟體模擬分析並已開發實體完成。本研究目的開發高品質AZO透明導電膜製程,搭配使用Zn[TMHD]2及Al[TMHD]3為先驅物,並以氧氣為反應氣體及氬氣為載流氣體在N-Si(100)基板上沉積氧化鋅薄膜。使用掃描式電子顯微鏡,霍爾量測設備,光學薄膜測厚儀,光激發光光譜儀,X光繞射儀。將上述量測與分析探討載流與反應氣體流量比例及基座溫度和工作壓力對於影響沉積速率、薄膜品質、晶格方向、薄膜厚度、表面形貌與電性之間的關連性,以達到薄膜表面的最佳特性。 |
英文摘要 | In this study, we develop a high-quality AZO thin-film manufacturing procedure, using Zn [TMHD] 2 and Al [TMHD] 3 as precursors, oxygen as reacting gas and argon as carrier gas, todeposite ZnO thin films on an N-Si (100) substrates. A home-made single-wafer verticalMOCVD system is used. The results are characterized by scanning electronicmicroscope (SEM), Hall effect measurement, photoluminescence (PL), and X-raydiffraction (XRD) to study the ZnO thin films quality. |
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