頁籤選單縮合
題名 | 本質較安全設計策略於高科技蝕刻製程及廠務安全管理效能提升之研究 |
---|---|
作者 | 張國基; 陳鴻猷; 陳俊瑜; 呂志誠; | 書刊名 | 化工技術 |
卷期 | 22:1=250 2014.01[民103.01] |
頁次 | 頁111-125 |
專輯 | 高科技產業安全機制專輯 |
分類號 | 555.56 |
關鍵詞 | 蝕刻製程與廠務系統; 22奈米製程技術; 風險評估; 本質較安全設計策略; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 半導體、光電面板等高科技產業是台灣重要經濟活動之一,在高科技各項製程中,蝕刻製程相較於薄膜、離子植入等製程將會使用更多高危害性化學品或氣體,因此危害性亦高。 目前先進半導體製程已進入22nm製程節點,蝕刻製程能力將遭遇更大困難,如更細微線寬蝕刻、深寬比更高之孔洞,均會造成蝕刻製程及其反應原料的改變,並迫使蝕刻製程之廠務系統隨之更為精密且複雜,此外在有限的無塵室空間中,大量電纜線、化學品或氣體管線、廢氣或廢液管線將充斥其中,大大增加安全管理難度。 目前22nm先進半導體製程產品構造,最主要的製程變化係依據產品構造變化而變化,其包含元件隔離層製作(STI)、碳化矽(SiC)與矽化鍺(SiGe)重摻雜以改變結構拉力或壓應力層之製作、閘極寬度縮減結構設計、高介電材料的製程應用(high-K)、自對準(self-aligned)結構的應用及元件製程整合規劃等趨勢。 在22nm先進半導體製程中濕式蝕刻及乾式蝕刻均有採用,前者多應用於清洗、剝除微粒等作業,而構造上主要蝕刻多採乾式蝕刻,本研究針對濕式蝕刻與乾式蝕刻使用化學物質與生成物進行彙整,而此等物質均藉由廠務系統輸送,任何洩漏均會造成全廠危害,因此製作表格進行蝕刻製程危害性分析。 獲得危害性分析成果後,本研究針對系統新設工程、更換化學品與氣體鋼瓶、故障排除、維修保養、機台增加或移動之管路修改、製程變更或原物料改變及緊急應變等,以「作業程序之危害與可操作性分析 (procedure HAZOP)」方法,進行關鍵性作業評估並建立改善措施方案。 本研究所建立之風險控制措施,經於實廠改善執行後,發現2012全年度有效提升改善重點「氣體鋼瓶更換作業」之不安全行為件數由過去之24件降低至8件,分析原因係不安全狀態利用本質較安全設計策略之狀態清晰、防愚設計及軟體等策略原則進行硬體改善,當然得以有效降低作業人員不安全行為件數。 |
本系統之摘要資訊系依該期刊論文摘要之資訊為主。