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| 題 名 | 變溫低頻雜訊測試系統在電晶體活化能之計算與應用 |
|---|---|
| 作 者 | 林哲楷; 邱顯欽; | 書刊名 | 電子月刊 |
| 卷 期 | 18:10=207 2012.10[民101.10] |
| 頁 次 | 頁100-109 |
| 專 輯 | 電子測試專輯 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 低頻雜訊; 活化能; Flicker noise; Low frequency noise; Activation energy; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 在無線通訊發展迅速的現在,為了提升整體射頻模組的效能,三五族異質結構的高電子移導率場效應電晶體(High Electron Mobility Transistor)被廣泛的應用,尤其是InAlAs/InGaAs的異質結構,提供了常溫下接近10000 cm2/V-sec的電子移導率,將元件的操作頻率與特性大幅度提升至V-頻段(~60GHz)與W-頻段(~94GHz)。相較於InP基板,GaAs基板因其不易破碎,晶圓尺寸可提升至六吋,價格較低廉等等優勢,在實際應用上更令人注目。然而隨著InGaAs通道層中In含量的提高,晶格常數不匹配於GaAs基板,產生的磊晶缺陷問題也隨之浮現。在此篇論文中,我們將研究六吋GaAs基板上之Metamorphic In0.4Ga0.6As/In0.4Al0.6As異質結構,利用設置的變溫低頻雜訊量測系統,計算磊晶層之缺陷。低頻雜訊的基本概念以及產生的機制、種類、模型,也將在本論文中介紹。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。