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題名 | 氮化鎵發光二極體嵌入二氧化矽柱狀結構與週期性空氣間隙結構 |
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作 者 | 楊亞諭; 賴韋志; 楊士緯; 許進恭; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷期 | 18:6=203 2012.06[民101.06] |
頁次 | 頁172-181 |
專輯 | 光電專輯 |
分類號 | 448.59 |
關鍵詞 | 氮化鎵; 發光二極體; 圖形化基板; 側向磊晶成長技術; Air gaps; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 我們結合二氧化矽柱狀結構(SiO2 pillars)以及週期性空氣間隙(air gaps)置入於氮化鎵發光二極體,在二氧化矽柱狀結構上,利用有機金屬化學氣相沉積(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD),以側向磊晶成長(epitaxial lateral overgrowth, ELO)之技術嵌入週期性空氣間隙於二氧化矽柱狀結構上方,並且成功改善晶體品質,使元件可以得到較低的反向漏電流。當電流注入在20 mA下,可以得到光輸出功率分別為3.04 mW (傳統氮化鎵發光二極體)、4.23 mW(二氧化矽柱狀結構/空氣間隙=200 nm/500 nm)、4.66 mW(二氧化矽柱狀結構/空氣間隙=500 nm/500 nm)、4.44 mW(二氧化矽柱狀結構/空氣間隙=700 nm/400 nm)。根據實驗結果,500 nm的二氧化矽柱狀結構結合500 nm的空氣間隙可以得到最佳之光輸出功率,由於光在內部散射機率的增加,進而提升光輸出功率,相對於傳統氮化鎵發光二極體可以獲得50%以上的功率提升。 |
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