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題名 | Layout Dependence of ESD Characteristics on High Voltage LDMOS Transistors= |
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作者 | Chen, Shuang-yuan; Wang, Mu-chun; Ho, Shao-min; Lin, Wei-yi; Jou, Yeh-ning; Haung, Heng-sheng; |
期刊 | 淡江理工學刊 |
出版日期 | 20081200 |
卷期 | 11:4 2008.12[民97.12] |
頁次 | 頁387-394 |
分類號 | 448.552 |
語文 | eng |
關鍵詞 | Electrostatic discharge; ESD; Transmission line pulsing; TLP; Laterally diffused MOS; LDMOS; |