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題 名 | Thermal Stress and Strain in a GaN Epitaxial Layer Grown on a Sapphire Substrate by the MOCVD Method |
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作 者 | Alaei, H. R.; Eshghi, H.; Riedel, R.; Pavlidis, D.; | 書刊名 | Chinese Journal of Physics |
卷 期 | 48:3 2010.06[民99.06] |
頁 次 | 頁400-407 |
分類號 | 335 |
關鍵詞 | |
語 文 | 英文(English) |