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| 題 名 | The Pretreatment Effects on Gate Oxide Quality of a Trench-Typed MOSFET Device |
|---|---|
| 作 者 | Jaw, Kuo-liang; Chen, Ping-hsun; | 書刊名 | 淡江理工學刊 |
| 卷 期 | 11:3 2008.09[民97.09] |
| 頁 次 | 頁233-238 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | Power devices; Gate oxide; Sacrificial oxidation; Etching; |
| 語 文 | 英文(English) |