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題名 | A Novel Self-aligned TiN Formation by N[feaf]﹢ Implantation During Two-step Annealing Ti-salicidation for Submicrometer CMOS Technology Application=次微米互補金氧半場效電晶體製程中利用氮離子植入鈦矽化合物形成鈦氮化物的新技術 |
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作者 | 陳啟文; Chen, Chii-wen; |
期刊 | 明新學報 |
出版日期 | 19950600 |
卷期 | 14 民84.06 |
頁次 | 頁79-83 |
分類號 | 448.552 |
語文 | eng |
關鍵詞 | 鈦矽化合物; 鈦氮; 氮離子植入; 屏障層; 穿刺現象; Ti-silicide; TiN; N[feaf]﹢implantation; Barrier layer; Spiking effect; |