查詢結果分析
相關文獻
- 製程溫度對脈衝雷射蒸鍍法製備之氧化鋅導電薄膜的特性影響
- 防曬劑中超微細固態氧化物添加劑其光化學反應機制對防曬功能利弊之探討
- 范振金配釉系列(4)--釉中、長石、石灰石、氧化鋅、高嶺土及硅石的角色
- 氧化鋅變阻器突波吸收能力研究
- 氧化鋅避雷器之熱穩定度及吸收能量的能力
- 氧化鋅避雷器責務試驗技術
- 利用毫米波燒結氧化鋅陶瓷之研究
- ZnO、SnO[feaf]基一氧化碳氣體感測器之研究
- 探討生長促進劑--氧化鋅來源
- Performance Evaluation of In[feaf]O[feb0]-ZnO (IZO) Films Prepared by DC Pulsed Magnetron Sputtering
第1筆 /總和 1 筆
/ 1 筆
頁籤選單縮合
題名 | 製程溫度對脈衝雷射蒸鍍法製備之氧化鋅導電薄膜的特性影響=Influence of the Substrate Temperature on the Properties of ZnO Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition |
---|---|
作 者 | 余昌峰; 宋哲瑋; | 書刊名 | 國立虎尾科技大學學報 |
卷期 | 27:4 2008.12[民97.12] |
頁次 | 頁19-27 |
分類號 | 472.16 |
關鍵詞 | 脈衝雷射蒸鍍法; 氧化鋅; 藍移現象; 量子局限效應; Pulsed laser deposition; ZnO; Blue shift; Quantum confinement effect; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本研究使用脈衝雷射蒸鍍法在玻璃基板上以不同基板溫度製備氧化鋅薄膜,由X光繞射儀及原子力顯微鏡量測中顯示本研究所製備之氧化鋅薄膜爲六方最密堆積結構,而且沿c軸的優先取向,實驗中發現晶粒大小會隨基板溫度增加而增大;電性部分,實驗顯現氧化鋅導電電阻率隨著基板溫度的增加而迅速減少,在基板溫度150℃時可得到最低值爲1.74×10^(-3) Ω-cm;光學量測中發現利用穿透光譜算出的能隙在3.2~3.3 eV 之間,其能隙大小會隨著基板溫度的增加而縮小,而此藍移現象可能是由於晶粒很小產生近似量子效應所影響。 |
英文摘要 | Pulsed laser deposition (PLD) technique is used to deposit undoped ZnO thin films at different substrate temperatures on glass substrates. XRD and atomic force microscopy (AFM) studies indicated that the obtained ZnO thin films were hexagonal wurtzite type structure with strong (002) c-axis orientation. The resistivity decreased rapidly with the increase of substrate temperature to a minimum of 1.74×10^(-3) Ω-cm at 150℃, and then increased. The band gap energy, measured from reflectance spectra, lies between 3.2 and 3.3 eV. There is an absorption edge blue shift with decreasing the substrate temperature. This shift obeys an inverse relation with the average crystallite size, typical of quantum confinement effect in very small nanoparticles. |
本系統之摘要資訊系依該期刊論文摘要之資訊為主。