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題 名 | 於光發射裝置及多層縱排太陽能電池之電沈積P型、N型ZnSe |
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作 者 | 林宗新; | 書刊名 | 太陽能學刊 |
卷 期 | 4:2 1999.10[民88.10] |
頁 次 | 頁41-44 |
分類號 | 448.167 |
關鍵詞 | 電沈積; 太陽能電池; ZnSe; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 使用低溫(∼65℃)電化學技術行硒化鋅層已成長於玻璃╱導電玻璃基板上,並 使用 X-ray 繞射( XRD )、X-ray 光電子光譜( XPS )、 光激發光( PL )及光電學電 池( PEC )技術作特性之檢驗,依 XRD 顯示材料成長為具(Ⅲ)之高度有利定向,XPS 指 出此材料所具有之化學及計量特性與藉分子束定向附晶成長相類似, 於∼ 250 ℃作 15 分 之退火可改善層之結晶度,PL 探討指出在低於導電帶之 0.7-1.4eV 能量區域內存在少數之 缺陷其導致輻射轉變, 當與 MBE 成長於 ZnSe 之電沈積 ZnSe 情形下作比較,薄膜之光學 性質可使用 PEC 電池重排及分別使用 Ga 及 As 二者材料行 N 與 p 之摻雜而可達成, 於 單一 p-n 接合與多層太陽能電池結構二者使用結晶 ZnSe 層可得良好之成果。 |
英文摘要 | 使用低溫(∼65℃)電化學技術行硒化鋅層已成長於玻璃╱導電玻璃基板上,並 使用X-ray 繞射(XRD)、X-ray 光電子光譜(XPS)、 光激發光(PL)及光電學電池(PEC)技術作特性之檢驗,依XRD顯示材料成長為具(Ⅲ)之高度有利定向,XPS指出此材料所具有之化學及計量特性與藉分子束定向附晶成長相類似, 於∼ 250 ℃作15分之退火可改善層之結晶度,PL探討指出在低於導電帶之 0.7-1.4eV能量區域內存在少數之缺陷其導致輻射轉變, 當與MBE成長於ZnSe之電沈積ZnSe情形下作比較,薄膜之光學性質可使用PEC電池重排及分別使用Ga及As二者材料行N與 p之摻雜而可達成,於單一 p-n接合與多層太陽能電池結構二者使用結晶ZnSe層可得良好之成果。 |
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