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題 名 | 下一代積體電路金屬化製程技術=Metallization Processing for ULSI and Beyond |
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作 者 | 楊文祿; 游信強; 吳其昌; 林育信; | 書刊名 | 真空科技 |
卷 期 | 14:3 2001.10[民90.10] |
頁 次 | 頁29-38 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 積體電路; 金屬化製程技術; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文探討下一代積體電路元件金屬化技術之前段製程,後段製程,與兩者間之製程整合。在製程整合方面我們研究以不同氮流量比例下,在反應性濺鍍所沉積的氮化鉭薄膜為擴散阻障層。此擴散阻障層可提升銅金屬化製程與金屬矽化物接觸之接面的熱穩定性。由實驗結果發現氮流量比在10%以上(包含10%)的氮化鉭薄膜在矽化鈷上對銅有較佳的阻抗能力。氮流量比在10%以上(包含10%)的氮化鉭薄膜在銅和矽化鈷接面之間甚至可以經過600℃的高溫破壞測試而不致銅擴散,致使元件退化。 |
英文摘要 | This paper deals with the front-end and back-end metallization processing for ULSI and beyond. The integration of Cu metallization and silicide contacted junction diodes was investigated by using a reactively sputtered TaNx films as the diffusion barrier. The film structure of the TaNx layers deposited with the different nitrogen flow ratios on CoSi2 was investigated. The amorphous-like TaNx film structure deposited by the nitrogen flow ratios exceeding 10% showed better barrier capability against Cu diffusion than others. With the addition of a 50nm thickness of amorphous-like TaNx diffusion barrier, the electrical integrity of Cu/CoSi2 contacted junction diodes can be sustained even after an 600℃ annealing. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。