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題名 | Highly Efficient Technique to Suppress MOS Gate-Injected RF Noise=抑制金氧半閘極端注入高頻雜訊之有效技術 |
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作者 | 陳東昇; 李志遠; | 書刊名 | 中正嶺學報 |
卷期 | 31:1(A) 民91.11 |
頁次 | 頁11-17 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 同步開關雜訊; 基底雜訊; 口袋型結構; MOSFETs; Simultaneous switching noise; Substrate noise; Pocket structure; |
語文 | 英文(English) |