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題 名 | Heterojunction WSe[feaf]/MoS[feaf]Crystal Growth by Chemical Vapor Transport=化學氣相傳送法成長WSe[feaf]/MoS[feaf]異質單晶 |
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作 者 | 唐宏怡; | 書刊名 | 華岡工程學報 |
卷 期 | 12 1998.05[民87.05] |
頁 次 | 頁15-23 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | Nanolithography; Dichalcogenide; Heterojuction; |
語 文 | 英文(English) |
英文摘要 | 0.1 μm以下的超微影製造技術,對於未來的物理創新研究或新式電子元件,研 發都具有相當的要性。二維結構材料由於能提供超微影製程所需的原子級乾淨表面,因此被 認為是最適合開發的材料之一。高品質的單晶對超微影技術研發有其必要性,本研究中初步 証明利用化學蒸氣傳送法可成長出新的 WSe �� /MoS �租局鞊策X單晶晶體。 family for nanolithography purpose. High quality single crystal is required before further studies can be proceeded. In this study, a new MoS �� /WSe �� heterojuction single crystal is demonstrated and grown by the chemical vapor transport technique. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。