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題 名 | Generation Lifetime Improvement in MOS Capacitor by Fast Neutron Enhanced Intrinsic Gettering Technique=利用快中子照射內部去疵技術改善MOS-C元件之少數載子再結合生命期 |
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作 者 | 溫武義; 廖森茂; 藍山明; 邱建珽; | 書刊名 | 中原學報 |
卷 期 | 30:1 2002.03[民91.03] |
頁 次 | 頁93-97 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 少數載子生命期; MOS電容; 快中子照射; Czochralski矽晶圓; Minority-carrier generation lifetime; MOS capacitor; Fast neutron irradiation; Intrinsic gettering; CZ-Si; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 此篇文章的主要目的在尋求利用快中子照射Czochralski矽晶圓內部去疵效應,以求在矽晶圓應用 之最佳化條件。研究內容針對下列進行探討,包含有物性及電性探討,並針對此方法求取其最佳化之製程條件。 a.以不同條件的熱處理方式,觀察氧沉積微缺陷 (microdefect)的變化O b.以不同條件的熱處理方式,觀察微缺陷在電性 方面的影響。 c.利用量測元件其少數載子生命期以求取其製程上之最佳化條件。在少數載子生命期方面,量測矽晶片在應用快中子照射內部去疵效應所製成的MOS電容元件,得到最高生命期之值為822μsec0最後由實驗結果得知,矽 晶片在接受中子劑量8.64xlüI6n/cm2照射後,並於氮氣 環境下回火6小時後,製作成MOS電容元件,為利用快中子照射內部去疵效應之最佳製程條件。和原本已經普遍的三階段田大過程(H-L-H)比較起來更省時,並且也擁有更好的電特性。 |
英文摘要 | Minority-carrier generation lifetime of MOS capacitors was improved by performing a fast neutron enhanced intrinsic gettering (NEIG) technique onthe Czochralski (CZ) silicon wafers on which the devices were fabricated. With NEIG, the minority-carrier generation lifetime was possibly to be elevated high to 822μs. Itwas shown that the fast neutron enhanced intrinsic gettering method can be used to substitute for the conventional three-step H-L-H (H: high temperature annealíng for a long time, L: low temperature annealing for a long time) intrinsic gettering method to have equiva lent or better electrical properties but saving the processing time. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。