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題名 | 利用多層底部抗反射層解決ArF微影術之光阻受鹼性污染問題= |
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作者 | 陳學禮; 施明昌; 謝境峰; |
期刊 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
出版日期 | 20011100 |
卷期 | 8:4 2001.11[民90.11] |
頁次 | 頁38-43 |
分類號 | 448.57 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 多層底部抗反射層; ArF微影術; 深次微米微影製程; |
中文摘要 | 本研究提出個運用於深次微米微影製程中新的多層底部抗反射層結構,這多層底部抗反射的結構組成分別為利用TEOS oxide膜可以當作防止鹼性污染的蔽障層,而且也是多層底部抗反射層結構中的一部份,經由適當的氧電漿處理後,可以使TEOS oxide蔽障層的厚度需求減小至15mm。多層底部抗反射層的薄膜均是利用一般傳統的電漿輔助他學氣相沈積系統所沈積,而SiNx薄膜的光學常數可以藉由調整沈積時通入的SiH4/NH3流量比來改變。在多層底耜抗反射層中,消光係數的增加會以階梯變化,且一層較一層為大,而消光係數最大的在最底層。在底材加了TEOS/SiN/SiN結構的多層底部抗反射層後,於阻劑和底部抗反射面的反射率在193mm波長可以降低至1%以下。 |
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