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| 題 名 | Realization of Exponential V-I Converter Using MOSFETs=使用金氧半場效電晶體設計之指數式電壓/電流轉換器 |
|---|---|
| 作 者 | 劉偉行; | 書刊名 | 東南學報 |
| 卷 期 | 22 1999.12[民88.12] |
| 頁 次 | 頁25-31 |
| 分類號 | 448.23 |
| 關鍵詞 | 指數式; MOSFET; Exponential; MOSFET transistor; Converters; |
| 語 文 | 英文(English) |
| 中文摘要 | 本文提出一種新型指數式電壓/電流轉換器,經過近似並且簡化的泰勒級數展開式 成為本電路之設計基礎。經由模擬 0.35 微米 CMOS 製程證明了本電路具有良好的線性度; 在± 0.5 dB 的誤差容許範圍內,線性度可達 15dB。 此外本電路亦符合低電壓,低功率的 設計原則,使用± 1.5V 供應電壓下,消耗功率僅有 0.8 毫瓦。本電路可應用於 " 可變增 益放大器 " ( Variable gain amplifier )之設計。 |
| 英文摘要 | A CMOS voltage-to-current converter with exponential characteristics is presented. The approximated Taylor's series expansion of the exponential function is used to implement the proposed circuit. In a 0.35μm CMOS process, the HSPICE simulation results shows a 15 dB-linear range with the linearity error less than ± 0.5dB. The total power consumption is below 0.8mW with ± 1.5V supply voltage. The circuit can be used in the design of a variable gain amplifier (VGA). |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。