頁籤選單縮合
題 名 | An Accurate Determination of P狇Silicon Layer Thickness for Microstructures=微結構的高濃度摻硼薄膜厚度的精確測定 |
---|---|
作 者 | 張國明; 黃國貞; 謝友嵐; 陳建宏; | 書刊名 | Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering |
卷 期 | 5:2 1998.05[民87.05] |
頁 次 | 頁107-111 |
分類號 | 448.533 |
關鍵詞 | 高濃度摻硼薄膜; 抗蝕刻層; 硼氮源擴散; Heavily boron-doped layer; Etch-stop layer; BN diffusion; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 摻硼濃度超過8×10�� cm -3的矽薄膜厚度可由矽於氫氧化鉀溶液中背面蝕刻完成 後的抗蝕刻層高度來實驗測定,經由固態硼氮源在溫度 1125 ℃進行 1 小時至 6 小時的高 溫擴散,可在矽晶片上製作 2 微米至 5 微米的薄膜,實驗測定的薄膜厚度符合理論的預測 。 |
英文摘要 | The thickness of a heavily boron-doped layer with doping density over 8 × 10 �� cm -3 was determined experimentally by calculating the height of the boron etch-stop layer of silicon after completion of silicon backside etching in KOH. P+ layers with thickness from 2 μ m to 5 μ m were fabricated on the silicon wafers by soliid boron nitride source diffusion at 1125 ℃ for 1 to 6 hours. The measured results of layer thickness show a strong agreement with the theoretical calculations based on a universal profile of the heavily boron-doped layer. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。