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- 題 名:
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- 卷 期:
37:2(A) 2009.05[民98.05]
- 頁 次:
頁69-78
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28 1998.11[民87.11]
- 頁 次:
頁109-114+449
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題 名:
Realization of Exponential V-I Converter Using MOSFETs:使用金氧半場效電晶體設計之指數式電壓/電流轉換器
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22 1999.12[民88.12]
- 頁 次:
頁25-31
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
194 1999.05[民88.05]
- 頁 次:
頁198-206
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題 名:
功率MOS元件ESD保護電路設計:ESD Protection Circuit Designs in Power MOSFET ICs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:2 2000.12[民89.12]
- 頁 次:
頁99-108
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6:2=55 2000.02[民89.02]
- 頁 次:
頁82-86
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:5=121 2001.04[民90.04]
- 頁 次:
頁76-90
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
55 2000.02[民89.02]
- 頁 次:
頁23-34
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
60 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁60-71
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題 名:
分子束磊晶技術之Ga[feaf]O[feb0](Gd[feaf]O[feb0])新成長法--首次展現金氧半場效電晶體(MOSFET):
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
66 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁1-5
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
41 1997.10[民86.10]
- 頁 次:
頁18-28
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題 名:
Two-Dimensional Mixed-Level Device and Circuit Simulation Using HSPICE:用HSPICE研究二維元件與電路之混階模擬
- 作 者:
- 書刊名:
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
22:2 1998.03[民87.03]
- 頁 次:
頁290-296
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題 名:
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題 名:
Emi Effects on Mosfets and Cmos Inverters and Their Predictions:MOSFETs及CMOS反相閘的電磁干擾效應與其預估方法
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21:2 1998.03[民87.03]
- 頁 次:
頁129-138
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題 名:
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題 名:
次微米互補型金氧半場效電晶體匹配特性與製程因子的研究:On Matching Properties and Process Factor for Submicronmeter CMOS
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁171-179
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
138 1997.09[民86.09]
- 頁 次:
頁217-221
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3:1 1996.02[民85.02]
- 頁 次:
頁49-56
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3:1 1996.02[民85.02]
- 頁 次:
頁77-86
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁193-204
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題 名:
Highly Efficient Technique to Suppress MOS Gate-Injected RF Noise:抑制金氧半閘極端注入高頻雜訊之有效技術
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31:1(A) 民91.11
- 頁 次:
頁11-17
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題 名:
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題 名:
高頻切換之半橋式換流器電路製作:The Implementation of High-Frequency Switching Half-Bridge Inverters
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁57-62
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題 名:
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