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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
20:3 1996.05[民85.05]
- 頁 次:
頁343-349
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
4 1996.05[民85.05]
- 頁 次:
頁45-61
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
42 1995.09[民84.09]
- 頁 次:
頁3-9
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21 2012.12[民101.12]
- 頁 次:
頁4-8
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:1 2004.06[民93.06]
- 頁 次:
頁23-27
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
39:2(A) 2010.11[民99.11]
- 頁 次:
頁11-21
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題 名:
The Pretreatment Effects on Gate Oxide Quality of a Trench-Typed MOSFET Device:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:3 2008.09[民97.09]
- 頁 次:
頁233-238
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
26 民95.05
- 頁 次:
頁7-12
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