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- 題 名:
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- 卷 期:
109 1996.01[民85.01]
- 頁 次:
頁124-134
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
122 2001.12[民90.12]
- 頁 次:
頁101-103
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2001.05[民90.05]
- 頁 次:
頁23-25
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題 名:
多重能量氫離子佈植砷化鎵超快光電開關性能分析:Ultrafast Multi-Energy Hydrogen-Implanted GaAs Photoconductive Switches
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2000.07[民89.07]
- 頁 次:
頁29-40
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2000.07[民89.07]
- 頁 次:
頁41-46
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
50:2 2001.02[民90.02]
- 頁 次:
頁93-98
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題 名:
砷化鎵金屬-半導體-金屬光接收器:GaAs Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:1 2001.04[民90.04]
- 頁 次:
頁41-45
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8 2001.09[民90.09]
- 頁 次:
頁131-138
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題 名:
Hydrogenic Impurity States in Quantum-well Wires:量子井線中似氫雜質的能態
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2001.06[民90.06]
- 頁 次:
頁367-374
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2001.07[民90.07]
- 頁 次:
頁19-24
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
4:2=31 1998.02[民87.02]
- 頁 次:
頁92-97
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
80 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁16-22
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題 名:
Structural Properties of GaN Monolayer on As-terminated GaAs(001) Surface:單層GaN在As終結之GaAs(001)表面結構特性
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
4:2 2003.12[民92.12]
- 頁 次:
頁158-168
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3/4 民83.11
- 頁 次:
頁43-48
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
52 1995.12[民84.12]
- 頁 次:
頁48-55
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5:2 1991.10[民80.10]
- 頁 次:
頁55-59
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:1 1990.01[民79.01]
- 頁 次:
頁45-51
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
1:3/4 民77.11
- 頁 次:
頁32-38
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13 1984.12[民73.12]
- 頁 次:
頁20-32