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- 題 名:
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- 卷 期:
11:1 2004.02[民93.02]
- 頁 次:
頁40-43
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
216 2004.12[民93.12]
- 頁 次:
頁158-165
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題 名:
Simulation with a Multi-MOS Model for Power Semiconductor Devices:多數金氧半導體模型用於高能元件之模擬
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18 2004.06[民93.06]
- 頁 次:
頁1-9
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:1 2011.02[民100.02]
- 頁 次:
頁1-8
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題 名:
Log-Scale Method with Equivalent Circuit Model in Semiconductor Device Simulations:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30:5 2007.07[民96.07]
- 頁 次:
頁843-846
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
61:3=239 2017.09[民106.09]
- 頁 次:
頁96-102
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
128 2021.11[民110.11]
- 頁 次:
頁114-123
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21:4 2019.07[民108.07]
- 頁 次:
頁2126-2136
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
27:7 2024.07[民113.07]
- 頁 次:
頁2861-2868
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