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- 題 名:
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- 卷 期:
30:4 1998.12[民87.12]
- 頁 次:
頁269-273
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
26:3 1998.08[民87.08]
- 頁 次:
頁1-7
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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
31:3 1999.09[民88.09]
- 頁 次:
頁147-152
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 2000.09[民89.09]
- 頁 次:
頁62-66
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:4 2000.03[民89.03]
- 頁 次:
頁30-40
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
29:1 2001.03[民90.03]
- 頁 次:
頁9-14
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:4 1997.12[民86.12]
- 頁 次:
頁631-634
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:6=128 2002.06[民91.06]
- 頁 次:
頁74-79
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題 名:
磁鐵礦磊晶薄膜的高解析度X光結構分析:High Resolution XRD of Epitaxial Fe[feb0]O[feb2]Film
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
74 2003.04[民92.04]
- 頁 次:
頁67-76
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13 1993.06[民82.06]
- 頁 次:
頁267-270
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
17:6 1993.11[民82.11]
- 頁 次:
頁428-432
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:1 1993.07[民82.07]
- 頁 次:
頁143-151
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題 名:
GaN on Si磊晶技術應用於發光二極體與功率元件現況:Epitaxy of GaN on Si Applied for LED and Power Device
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
321 2013.09[民102.09]
- 頁 次:
頁147-153
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題 名:
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題 名:
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究:GaN HEMT for High Power Density of RF Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10 2014.01[民103.01]
- 頁 次:
頁234-242
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
26:3 2013.09[民102.09]
- 頁 次:
頁27-31
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
27:2 2014.06[民103.06]
- 頁 次:
頁23-30
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
319 2013.07[民102.07]
- 頁 次:
頁140-147
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
221 2005.05[民94.05]
- 頁 次:
頁155-160
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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
28:4 2015.12[民104.12]
- 頁 次:
頁36-43
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
43:4 2015.10[民104.10]
- 頁 次:
頁200-207
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