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- 題 名:
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- 卷 期:
19:1=210 2013.01[民102.01]
- 頁 次:
頁102-111
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題 名:
原子層沉積技術製作氧化鋁膜於薄膜電晶體之應用:Atomic Layer Deposited Al₂O₃ for Thin Film Transistor Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
26:1 2013.03[民102.03]
- 頁 次:
頁34-44
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題 名:
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- 題 名:
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- 書刊名:
- 卷 期:
10:10=111 2004.10[民93.10]
- 頁 次:
頁161-170
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:2 2016.06[民105.06]
- 頁 次:
頁2-8
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:12=185 2010.12[民99.12]
- 頁 次:
頁120-126
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:9=134 民95.09
- 頁 次:
頁189-198
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題 名:
有機薄膜電晶體之介電材料技術發展現況與趨勢:Gate Dielectrics for Organic Thin-Film Transistors
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
243 2007.03[民96.03]
- 頁 次:
頁126-138
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題 名:
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題 名:
以矽化鎳作為閘極金屬層用在奈米級CMOS元件之特性探討:Nano Devices Simulation on Si-FUSI Gate Stack
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22 2008.06[民97.06]
- 頁 次:
頁227-230
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題 名: