刊名
類目
出版年
資料類型
檢索結果筆數(1)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
在搜尋的結果範圍內查詢:
全部
排序
每頁顯示
1
藉由在界面層上覆蓋鉿或鋯改善鍺金氧半電晶體的可靠性研究:Improved Reliability Characteristics of Ge MOS Devices by Capping Hf or Zr on Interfacial Layer
李彥霖 張廖貴術 李震謙 張育維 揚孟穎 蔡尚甫 許奕文 黃晉修
奈米通訊
24:1 2017.03[民106.03]
頁17-21
TCI引用統計