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檢索結果筆數(104)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21:2 1999.04[民88.04]
- 頁 次:
頁277-283
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30:3 1998.09[民87.09]
- 頁 次:
頁165-177
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題 名:
非晶形矽氫薄膜中載子傳導之探討:Study on the Charge Transport in the Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Films
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31:2 1999.06[民88.06]
- 頁 次:
頁107-114
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題 名:
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題 名:
Carrier Concentration Determinated by Photoreflectance:以光調制反射光譜術決定載子濃度
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
32:1 1999.03[民88.03]
- 頁 次:
頁9-15
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 1998.06[民87.06]
- 頁 次:
頁87-94
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
170 1992.04[民81.04]
- 頁 次:
頁8-18
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:7=72 2001.07[民90.07]
- 頁 次:
頁148-154
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:5=121 2001.04[民90.04]
- 頁 次:
頁67-75
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30:1 2002.03[民91.03]
- 頁 次:
頁93-97
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題 名:
半導體元件可靠度簡介--熱載子效應:Semiconductor Device Reliability--Hot Carrier Effect
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
62 1997.09[民86.09]
- 頁 次:
頁53-58
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題 名:
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題 名:
Doping Properties of Pr[feaf]O[feb0]Associate InGaAs Epitaxy:三氧化二鐠在砷化鎵磊晶層中之參雜特性
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:2 1997.01[民86.01]
- 頁 次:
頁187-193
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題 名:
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題 名:
IGBT的短路特性及短路保護:The Short Circuit Characteristics and Protection Circuits of IGBTs
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31 1996.02[民85.02]
- 頁 次:
頁21-26
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
4:1=30 1998.01[民87.01]
- 頁 次:
頁47-55
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題 名:
非晶形硒薄膜中載子傳導之探討:Study on the Charge Transport in the Amorphous Selenium Thin Films
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5:1 1996.01[民85.01]
- 頁 次:
頁159-169
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
49 1996.05[民85.05]
- 頁 次:
頁88-93
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁193-204
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
38:9 2002.09[民91.09]
- 頁 次:
頁80-85
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:5 2002.10[民91.10]
- 頁 次:
頁645-651
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:2=136 2003.10[民92.10]
- 頁 次:
頁61-67
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8:10=87 2002.10[民91.10]
- 頁 次:
頁208-215