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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
1 1998.01[民87.01]
- 頁 次:
頁23-25
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:10=99 2003.10[民92.10]
- 頁 次:
頁190-196
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14 1995.06[民84.06]
- 頁 次:
頁372-374
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
156 2014.04[民103.04]
- 頁 次:
頁75-82
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題 名:
0.48V超低電壓動態影像壓縮之65奈米製成系統晶片:A 0.48V ULV Video-Encoding SoC in 65nm CMOS
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
152 2013.08[民102.08]
- 頁 次:
頁94-101
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
39:2 2013.08[民102.08]
- 頁 次:
頁1-15
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
42:1 2016.02[民105.02]
- 頁 次:
頁9-17
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
42:1 2016.02[民105.02]
- 頁 次:
頁19-29
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:1 2016.03[民105.03]
- 頁 次:
頁41-44
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:3 2012.09[民101.09]
- 頁 次:
頁15-22
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
37:2 2011.08[民100.08]
- 頁 次:
頁79-86
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題 名:
次臨界電壓之標準元件庫與設計方法:A Sub-Threshold Voltage Standard Cell Library and Design Methodology
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
140 2011.08[民100.08]
- 頁 次:
頁37-43
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2010.05[民99.05]
- 頁 次:
頁39-49
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題 名:
雜散摻雜原子對多重閘極電晶體的影響:Impact of Discrete Impurity Atoms on Multi-Gate MOSFETs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3 2007.02[民96.02]
- 頁 次:
頁17-29
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題 名:
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題 名:
奈米範圍之場效電晶體臨界電壓對摻雜質濃度變異的敏感度:Threshold Voltage Dependence on Channel Doping for Nanoscale MOSFETs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2 民95.02
- 頁 次:
頁27-35
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題 名:
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題 名:
製程能力分析管控液晶臨界電壓:Process Capability Analysis Applied for Threshold Voltage Control
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
43:1 2007.01[民96.01]
- 頁 次:
頁68-74
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:9=146 2007.09[民96.09]
- 頁 次:
頁130-141
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題 名:
Study on Operation Performance of Flash Memory at High Temperature:高溫下快閃記憶體元件操作效能之研究
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
77 2019.12[民108.12]
- 頁 次:
頁113-122
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題 名: