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題 名:
物理氣相傳輸法碳化矽單晶生長數值模擬:The Simulation of SiC Single Crystal Growth by PVT Method
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
53 2012.10[民101.10]
- 頁 次:
頁91-104
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題 名:
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題 名:
碳化矽單晶生長方法與模擬過程簡介:Introduction of SiC Single Crystal Growth Method and Simulation Process
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
44:4 2016.10[民105.10]
- 頁 次:
頁119-126
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
441 2023.09[民112.09]
- 頁 次:
頁56-65