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題 名:
物理氣相傳輸法碳化矽單晶生長數值模擬:The Simulation of SiC Single Crystal Growth by PVT Method
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
53 2012.10[民101.10]
- 頁 次:
頁91-104
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題 名:
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題 名:
碳化矽單晶生長方法與模擬過程簡介:Introduction of SiC Single Crystal Growth Method and Simulation Process
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
44:4 2016.10[民105.10]
- 頁 次:
頁119-126
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題 名:
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題 名:
多晶型6H-SiC晶體成長之研究:The Study of 6H-SiC Poly-type Crystal Growth
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:2 2011.06[民100.06]
- 頁 次:
頁139-143
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
1 2009.01[民98.01]
- 頁 次:
頁29-31
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題 名:
半絕緣碳化矽晶圓發展現況:Current Development Status of Semi-insulating Silicon Carbide Wafer
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
381 2018.09[民107.09]
- 頁 次:
頁65-72
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17 2021.01[民110.01]
- 頁 次:
頁156-163
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
441 2023.09[民112.09]
- 頁 次:
頁56-65