查詢結果
檢索結果筆數(2)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
-
-
題 名:
氮化鋁銦鎵深紫外光發光二極體製作技術:Technology of AlInGaN Deep-Ultraviolet Light Emitting Diode
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
229 民95.01
- 頁 次:
頁98-106
-
題 名:
-
-
題 名:
800℃條件下成長p型氮化鋁銦鎵/氮化鎵雙重披覆層的氮化物發光二極體:Nitride-based LEDs with 800℃-grownp-AllnGaN/GaN Double Cap Layers
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁62-66
-
題 名: