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InGnN/GaN多層量子井之顯微組織研究:Study on Microstructures of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30:1 2001.10[民90.10]
- 頁 次:
頁95-104
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
72 2000.12[民89.12]
- 頁 次:
頁66-71
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
73 2001.03[民90.03]
- 頁 次:
頁45-50
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:2 2002.05[民91.05]
- 頁 次:
頁121-126
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:6 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁789-800
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
84 2003.12[民92.12]
- 頁 次:
頁70-80
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:3 2000.08[民89.08]
- 頁 次:
頁219-225
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題 名:
製備氮化銦奈米結構材料於GaN/Al₂O₃基板之研究:Study of InN Nanostructure Grown on GaN/Al₂O₃ Substrate
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:3 2012.09[民101.09]
- 頁 次:
頁9-14
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題 名:
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題 名:
奈米多孔隙氮化鎵結構應用於高效率氮化銦鎵發光元件:High Efficiency InGaN Optoelectronic Devices with Nanoporous GaN Structures
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:1 2015.03[民104.03]
- 頁 次:
頁33-40
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:2 2013.04[民102.04]
- 頁 次:
頁124-131
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
26:3 2013.09[民102.09]
- 頁 次:
頁40-46
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題 名:
Growth of InN Films on Sapphire Substrates by Reactive Magnetron Sputtering:以反應式磁控濺鍍法於藍寶石基板上成長氮化銦薄膜
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
37:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁121-125
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題 名:
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題 名:
分子束磊晶成長之磷氮化銦鎵之有序度效應研究:Investigation of Spontaneous Ordering Effect in GaInNP Grown by MBE
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁38-41
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題 名:
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題 名:
具有氮化銦鎵/氮化鎵自組式量子點的藍色發光二極體:InGaN/GaN Blue Light-emitting Diodes with Self-assembled Quantum Dots
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁34-38
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題 名:
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題 名:
條狀藍寶石基板橫向磊晶之氮化銦鎵/氮化鎵多層量子井發光二極體:Lateral Epitaxial Patterned Sapphire InGaN/GaN MQW LEDs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁39-44
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題 名:
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題 名:
800℃條件下成長p型氮化鋁銦鎵/氮化鎵雙重披覆層的氮化物發光二極體:Nitride-based LEDs with 800℃-grownp-AllnGaN/GaN Double Cap Layers
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:2 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁62-66
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁53-67
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30:1=342 2004.01[民93.01]
- 頁 次:
頁88-91
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題 名:
Simulation of Violet-Blue InGaN Quantum-Well Lasers:紫藍光氮化銦鎵量子井雷射之模擬與分析
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
85 2004.03[民93.03]
- 頁 次:
頁47-58
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題 名:
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題 名:
化學束磊晶系統成長氮化銦磊晶薄膜之製程研究:Investigation of InN Epilayer Grown on Ga-face GaN by RF-CBE
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
198 2014.03[民103.03]
- 頁 次:
頁20-37
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題 名: