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題 名:
The Effect of Doping Profile Variations upon Deep Submicrometer MOSFET's:摻雜濃度分佈變化對深次微米金氧半場效電晶體的效應
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- 卷 期:
2:1 1995.02[民84.02]
- 頁 次:
頁1-6
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:4 2004.04[民93.04]
- 頁 次:
頁6-11
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題 名:
奈米範圍之場效電晶體臨界電壓對摻雜質濃度變異的敏感度:Threshold Voltage Dependence on Channel Doping for Nanoscale MOSFETs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2 民95.02
- 頁 次:
頁27-35
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33 2007.07[民96.07]
- 頁 次:
頁283-309