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- 題 名:
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下
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
87 1994.03[民83.03]
- 頁 次:
頁75-80
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- 題 名:
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編 次:
上
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
86 1994.02[民83.02]
- 頁 次:
頁132-137
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:3 2011.09[民100.09]
- 頁 次:
頁27-32
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
43:4 2015.10[民104.10]
- 頁 次:
頁200-207
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題 名:
車載寬能隙功率半導體應用之發展趨勢:Trends of Wide Band Gap Power Semiconductor Applications in Vehicles
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
353 2016.05[民105.05]
- 頁 次:
頁138-145
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
362 2017.02[民106.02]
- 頁 次:
頁121-127
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題 名:
碳化矽半導體材料發展及未來應用:The Future Applications and Development of SiC Semi-conductive Materials
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
44:4 2016.10[民105.10]
- 頁 次:
頁106-118
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:4 2010.12[民99.12]
- 頁 次:
頁32-36
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
4:4 2017.12[民106.12]
- 頁 次:
頁431-444
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:5 2017.09[民106.09]
- 頁 次:
頁97-103
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題 名:
功率元件用新半導體基板材料發展現況:Current Development of Semiconductor Substrates Used in Power Electronics
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
380 2018.08[民107.08]
- 頁 次:
頁58-64
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 2017.12[民106.12]
- 頁 次:
頁130-135
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題 名:
氮化鎵功率/射頻電子元件市場發展與新興應用:The Market Development and Emerging Application of GaN Power/RF Device
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
47:1 2019.01[民108.01]
- 頁 次:
頁34-43
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題 名:
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題 名:
半絕緣碳化矽晶圓發展現況:Current Development Status of Semi-insulating Silicon Carbide Wafer
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
381 2018.09[民107.09]
- 頁 次:
頁65-72
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14 2018.01[民107.01]
- 頁 次:
頁42-49
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
301 2024.01[民113.01]
- 頁 次:
頁91-116
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
93:2 2020.06[民109.06]
- 頁 次:
頁83-91
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20:4 2022.07[民111.07]
- 頁 次:
頁64-69
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題 名:
Fabrication and Characterization of Ga₂O₃ Deep UV Photodetector by MOCVD:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2022.03[民111.03]
- 頁 次:
頁39
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題 名:
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題 名:
碳化矽材料雷射加工介紹:Introduction of Laser Processing Applied to Silicon Carbide Materials
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24:1 2022.06[民111.06]
- 頁 次:
頁17-21
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題 名: