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1.3 μm V-Grooved Substrate Buried Crescent InGaAsP/InP Laser By One-Step Liquid Phase Epitaxy:單次液相磊晶成長1.3 微米磷砷化銦鎵雷射二極體
宋嘉斌
MRL Bulletin of Research and Development
2:1 1988.03[民77.03]
頁1-5
TCI引用統計