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題 名:
Comparison of Photoluminescence Properties between MBE and MOCVD Grown InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures:以分子束磊晶及有機化學氣相沉積生長氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井結構螢光特性比較
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作者:
馮世維
廖啟智
楊志忠
林彥勝
馬廣仁
張慶安
吳易座
賴夆杰
卓昌正
李家銘
綦振瀛
Feng, Shih-wei;
Liao, Chi-chih;
Yang, C. C.;
Lin, Yen-sheng;
Ma, Kung-jeng;
Chang, Chin-an;
Wu, E-tsou;
Lai, Fung-jei;
Chuo, Chang-cheng;
Lee, Chia-ming;
Chyi, Jen-inn;
- 書刊名:
Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
- 卷 期:
9:2 2002.05[民91.05]
- 頁 次:
頁103-108
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被引用次數:期刊(0) 博士論文(0) 專書(0) 專書論文(0)
排除自我引用:0
共同引用:0
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