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MOCVD噴灑頭式反應腔性能與氮化鎵薄膜沉積化學反應場之數值模擬:Performance Analysis of a Showerhead Type MOCVD Reactor and Chemical Reaction Field Simulation for GaN Thin Film Deposition
傅武雄 鄭泗東 王威翔 許智勝 陳柏霖
機械工業
377 2014.08[民103.08]
頁144-157
TCI引用統計