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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
115 2001.05[民90.05]
- 頁 次:
頁128-133
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
55 2000.02[民89.02]
- 頁 次:
頁1-9
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
55 2000.02[民89.02]
- 頁 次:
頁10-22
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
55 2000.02[民89.02]
- 頁 次:
頁23-34
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3:11=28 1997.11[民86.11]
- 頁 次:
頁50-59
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
143 2003.09[民92.09]
- 頁 次:
頁166-168
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23 1994.10[民83.10]
- 頁 次:
頁106-114
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:1 2015.01[民104.01]
- 頁 次:
頁36-40
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:10=207 2012.10[民101.10]
- 頁 次:
頁121-129
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:10=207 2012.10[民101.10]
- 頁 次:
頁130-146
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題 名:
功率元件構裝技術發展及應用:Development and Application of Power Semiconductor Package
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
321 2013.09[民102.09]
- 頁 次:
頁68-77
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題 名:
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題 名:
GaN on Si磊晶技術應用於發光二極體與功率元件現況:Epitaxy of GaN on Si Applied for LED and Power Device
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
321 2013.09[民102.09]
- 頁 次:
頁147-153
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21 2012.12[民101.12]
- 頁 次:
頁4-8
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10:5 2012.09[民101.09]
- 頁 次:
頁27-33
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2012.09[民101.09]
- 頁 次:
頁45-50
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題 名:
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究:GaN HEMT for High Power Density of RF Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10 2014.01[民103.01]
- 頁 次:
頁234-242
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題 名:
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題 名:
功率元件用晶片接合技術發展現況:Current Status of Die Attach Technology for Power Devices
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
329 2014.05[民103.05]
- 頁 次:
頁101-110
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:9=218 2013.09 [民102.09]
- 頁 次:
頁123-139
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:11=220 2013.11[民102.11]
- 頁 次:
頁108-116
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
158 2004.12[民93.12]
- 頁 次:
頁160+162+164+166+168+170-171