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利用乾式蝕刻技術製作菱形全包覆式鍺/鍺矽奈米線場效電晶體:Diamond-shaped Ge and Ge₀.₉Si₀.₁ Gate-All-Around Nanowire FETs with Four {111} Facets by Dry Etch Technology
侯福居 莊尚勳 袁偉佑 吳建霆 李耀仁 陳建亨 侯拓宏
奈米通訊
23:1 2016.03[民105.03]
頁37-40
TCI引用統計