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題 名:
An Investigation of Strain Silicon Technology on Highly Strained, Highly Scaled NFET Devices:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:4 2009.08[民98.08]
- 頁 次:
頁289-294
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題 名:
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題 名:
間歇性低壓低氧後細胞的變化:The Cellular Changes in Intermittent Hypobaric Hypoxia
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36 民94.06
- 頁 次:
頁61-66
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題 名: