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題 名:
Phonon-Plasmon Interaction in GaN Films Studied by Raman Scattering:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36:1 1998.02[民87.02]
- 頁 次:
頁27-31
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題 名:
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題 名:
Photoluminescence Studies of GaN Films of Different Buffer Layer and Doping Concentration:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36:1 1998.02[民87.02]
- 頁 次:
頁32-37
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題 名:
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題 名:
Characteristics of P-type GaN Films Doped with Isoelectronic Indium Atoms:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
40:6 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁637-643
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題 名:
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題 名:
Dependence of Deep Level Concentrations on Ammonia Flow Rate in n-type GaN Films:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
40:4 2002.08[民91.08]
- 頁 次:
頁424-428
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31:6(Part2) 民82.12
- 頁 次:
頁993-998
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
31:5 1993.10[民82.10]
- 頁 次:
頁653-661