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對CMOS閘極氧化層線寬為130nm、90nm、65nm時的模擬與分析:The Simulation and Analysis of CMOS Gate Dielectrics for 130nm 、90nm、65nm Technology
陳宜澤 謝宗原 馮舉威 邱顯嘉 胡峻諺 譚湘瑜 Chen, I-tse; Xie, Zong-yuan; Feng, Chu-wei; Qiu, Xian-jia; Hu, Jim; Tan, S. Y.;
華岡工程學報
20 民95.06
頁61-68
TCI引用統計