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Thermal Stress and Strain in a GaN Epitaxial Layer Grown on a Sapphire Substrate by the MOCVD Method:
Alaei, H. R.; Eshghi, H.; Riedel, R.; Pavlidis, D.;
Chinese Journal of Physics
48:3 2010.06[民99.06]
頁400-407
TCI引用統計