刊名
類目
出版年
資料類型
檢索結果筆數(2)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
在搜尋的結果範圍內查詢:
全部
排序
每頁顯示
1
S-Band and X-Band Monolithic Microwave Amplifier Design Using Pseudomorhic AlGaAs/In匃Ga0.85As High Electron Mobility Transistors (HEMTs):利用砷化鋁鎵/砷化銦鎵高速場效應電晶體設計S-頻帶及X-頻帶之微波積體放大器
顏天霖 詹益仁 吳家松 Gan, Tien-huat; Chan, Yi-jen; Wu, Chia-song;
Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
2:4 1995.11[民84.11]
頁299-305
TCI引用統計
2
In迯 Al郂 As/In[febb]Ga[fec5]As(x=0.53, 0.6) Lattice-Matched and Pseudomorphic Hemts on INP Substrates:磷化銦基片上之砷化銦鋁/砷化銦鎵晶格匹配及應力層高速場效應電晶體特性之研究
吳家松 詹益仁 謝佳霖 顏天霖 綦振瀛
中國工程學刊
18:5 1995.09[民84.09]
頁707-712