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題 名:
Study of Hot Electron Transport in GaAs Based Quantum Well Devices:以砷化鎵為基底的量子井元件中電子傳導特性之研究
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
32:6 1989.12[民78.12]
- 頁 次:
頁437-443
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題 名: