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- 卷 期:
12:4 民94.11
- 頁 次:
頁37-41
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- 題 名:
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- 卷 期:
19:8=217 2013.08[民102.08]
- 頁 次:
頁80-95
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題 名:
(110)基板上之P型穿隧式場效電晶體:P-type Tunneling FETs on (110) Substrate
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:2 2011.06[民100.06]
- 頁 次:
頁14-19
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:1 2011.03[民100.03]
- 頁 次:
頁24-29
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:3 2009.09[民98.09]
- 頁 次:
頁30-35
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:3=164 2009.03[民98.03]
- 頁 次:
頁97-105
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:9=134 民95.09
- 頁 次:
頁182-188
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:3 民95.08
- 頁 次:
頁72-74
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題 名:
利用TEM和PL技術探討MOVPE成長條件對InGaP/GaAs反向介面性質的影響--透過最佳化成長條件抑制InGaP/GaAs介面內InGaAsP混合層的形成:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:7=132 民95.07
- 頁 次:
頁122-128
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題 名:
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題 名:
利用HVPE技術成長Free-standing GaN基板(HVPE技術在製作Free-standing GaN基板中的應用):
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:3=152 2008.03[民97.03]
- 頁 次:
頁168-181
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11 民95.07
- 頁 次:
頁52-55
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:1 2008.03[民97.03]
- 頁 次:
頁18-22
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20:1 2013.03[民102.03]
- 頁 次:
頁18-25
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21:1 2014.03[民103.03]
- 頁 次:
頁2-8