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The Study of Charge-to-Breakdown of Thin Gate Oxide for P狇-Poly-Si MOS Capacitor:P-型多晶矽金氧半電容器薄氧化層之崩潰電荷量研究
王黎順
明倫學報
2 1998.03[民87.03]
頁75-88
TCI引用統計