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Improved Current-Spreading Performance of an InGaN-based Light-Emitting Diode with a Clear p-GaN/n-GaN Barrier Junction:藉由p型氮化鎵/n型氮化鎵內建能障改善氮化銦鎵發光二極體之電流散佈特性
劉亦浚 Liu, Yi-jung;
光學工程
121 2013.04[民102.04]
頁8-16
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