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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
10:4 1986.10[民75.10]
- 頁 次:
頁335-351
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 1986.05[民75.05]
- 頁 次:
頁431-471
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題 名:
Optimal Device Model of Ion-Implanted Ga As MESFET:離子佈植砷化鎵金屬場效電晶體之最佳化模式
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3 1986.06[民75.06]
- 頁 次:
頁173-184
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
54:6 1986.06[民75.06]
- 頁 次:
頁128-141
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3 1986.03[民75.03]
- 頁 次:
頁左20-33