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覆晶於氮化鋁基板上具高電子遷移率之氮化鋁鎵/氮化鎵電晶體對靜電放電防護力研究:Flip-Chip AlGaN/GaN Transistors with High Electron Mobility on AIN Substrates against ESD Protection
鄭南宏 張連璧 Cheng, Nan-hung; Chang, Liann-be;
新新季刊
51:1 2023.01[民112.01]
頁189-197
TCI引用統計